TechInsights消息：麒麟9030所采用的是中芯国际的5nm级工艺，该工艺未使用EUV光刻技术

12月12日消息，据权威半导体机构TechInsights研究显示，华为新推出的麒麟9030系列处理器，采用了中芯国际最新的5nm级工艺，该工艺被官方命名为“N+3”。

和之前的N+2 7nm级工艺相比，中芯国际完成了一次全新的突破，而且明显已进入量产阶段，能够满足华为Mate 80系列等产品的大规模供货需求。

TechInsights还证实，中芯国际的5nm级工艺并未采用EUV极紫外光刻技术，而是依旧沿用DUV深紫外光刻，这一成果实属难得。

尽管如此，中芯国际依旧面临不少严峻的挑战，特别是受金属间距大幅缩减的限制，良品率肯定不会太高，甚至可能会亏损生产。

当然，这方面不可能有官方的或者确切的数据，只能猜测。

目前性能最好的DUV浸没式光刻也只能做到193nm波长，EUV光刻则能达到13.5nm，差距是非常大的。

考虑到DUV光刻单次曝光仅能达到38nm以下的分辨率，TechInsights推测中芯国际很可能对现有设备展开了优化与潜力挖掘，把单次曝光的分辨率提升到了35nm上下，进而借助多次曝光来完成芯片电路的整体蚀刻。

事实上，自对准四重曝光（SAQP）这类多重曝光技术已投入应用多年，华为在去年也公开了一项四重曝光技术的专利，所以中芯国际在5纳米级工艺中采用这类技术是相当合理的。

今年9月，中芯国际曾测试过上海御良昇科技自主研发的一款DUV浸没式光刻机。

资料显示，这款国产光刻机定位为28纳米级工艺设备，技术水平和ASML 2008年前后的双工件台光刻机差不多。

不过，TechInsights的观点是，中芯国际短期内很难取得技术突破，这款国产设备不太可能被用于麒麟9030系列的量产环节，所以中芯国际的5nm级工艺，大概率还是要依靠ASML的DUV光刻机来完成。

值得一提的是，知名投行高盛此前在一份报告中指出，中国国产光刻机仅能生产65纳米工艺的芯片，与国际巨头ASML相比，技术差距大约有20年之久；不过，当时高盛还认为中芯国际仅能实现7纳米级工艺的量产。