台积电1.4nm工艺A14目标锁定2028年：十年间性能实现80%的提升

11月30日消息，作为当下半导体晶圆代工领域的领军者，台积电的发展走向无疑备受瞩目。随着未来工艺节点逐步向1nm逼近，行业内外都在关注其能否持续推进技术迭代，不妨通过台积电最新披露的路线图一探究竟。

在开放创新平台生态系统论坛上，台积电发布了未来几年的逻辑工艺路线图，该路线图以2025年为核心时间节点，目前其FinFET技术路线下量产的工艺为3nm级别，具体包含N3、N3E、N3P、N3X以及N3C等版本。

2从2nm节点起，芯片制造开始采用Nanosheet晶体管，这正是GAA环绕栅极晶体管的具体技术实现形式。今年实现量产的是N2工艺，而率先确定采用该工艺的产品，反倒是AMD基于Zen6架构打造的EPYC处理器，不过这款处理器要到明年才会正式上市。

后续还会推出N2P与N2X工艺，不过在这两者之间会先有A16 SPR工艺。SPR指的是台积电的背面供电技术Super Power Rail，该技术与Intel的PowerVia据称存在较大差异，且在技术层面更为先进，只是具体效果如何，还得等实现量产后才能进行准确的对比。

A16 SPR原本对应的是最初规划的2nm工艺，不过在研发过程中出现了一些调整，台积电选择将GAA技术和背部供电技术分开进行量产，并非像三星、Intel那样在同一代工艺节点上同时实现这两项技术的量产。

再之后的A14节点会是一个重大更新，GAA与背部供电技术于一体，性能及能效更好看一些。

台积电发布这份技术路线图，意在向外界表明其有实力在未来数年内维持每年迭代工艺的节奏，并且每一代新工艺在性能与能效方面都能实现相近幅度的提升，此举核心是为了增强客户的信心。

以2018年推出的7纳米工艺节点N7作为参照基准，后续每一代工艺在保持功耗水平相同的情况下，性能提升幅度相对稳定，处于15%至18%的区间内；与此同时，若要维持性能表现一致，每一代工艺的功耗都能实现显著下降——从N7到N3的每一代，功耗降幅均超过三分之一，不过从N3到未来的A14工艺，每一代的功耗降幅则调整为大约四分之一。

对比N7，台积电提到A14工艺同功耗下提升83%的性能，能效则是3.2倍提升。

简单来说，在2018至2028这十年间，芯片工艺带来的性能提升幅度大概在80%左右。要是拿这个数据去和摩尔定律做对比，结果无疑会让人感到失落。不过行业内的人都明白，自从28纳米这个节点过后，摩尔定律就慢慢失去了效力，所以能实现80%的性能增长其实已经相当难得了。

2018年的N7代表处理器为苹果A12，其最高频率仅2.5GHz，晶体管数量达69亿；而如今的A18 Pro处理器已实现4GHz频率与200亿晶体管的配置。考虑到距离未来的A14节点尚有数代工艺差距，5GHz频率、300亿晶体管的规模或许值得我们期待。