日本欲实现芯片工艺从28nm到4nm的跨越台积电在关键节点介入

12月11日消息显示，40年前日本曾是全球半导体领域的领军者，不过近年来其角色转变为设备与材料供应商，在先进工艺方面已多年未有涉足，此前该国自主研发的工艺技术还停留在28纳米及以上水平。

不过现在日本或许能从28纳米工艺直接跃升至4纳米工艺，原因是台积电在日本投资建设的熊本第二工厂，原本计划是升级到6/7纳米工艺，可近期已经暂停施工了。

这次停工并非台积电暂停在日本的投资，而是出于工艺升级的考量。由于目前6/7nm工艺的市场需求相对低迷，若继续按原计划新建工厂，反而会进一步加剧产能过剩的问题。因此，据消息人士透露，台积电打算将二期工厂的工艺直接提升至4nm，以此来适配当下人工智能芯片的庞大需求。

台积电公司今日也就此消息作出回应，称公司不对市场传言或猜测发表评论，其在日本的项目正持续推进。

尽管台积电表示会继续在日本的投资，但实际情况是，不仅二期工厂已暂停建设，就连之前建成的一期工厂也停止了扩产计划。这家工厂主要生产40/28nm和16/12nm工艺的芯片，原本计划到2026年添置新设备，不过目前台积电已向设备供应商明确，明年一整年都不会有新增设备的安排。

不过二期工厂若真要升级到4nm工艺并非易事，毕竟4nm工艺需要用到EUV光刻设备，这不仅会导致投资成本增加，厂商在设计等方面也得做出相应调整。

因此，二期工厂还存在另一种可能性，即改建成先进封装工厂。当前AI芯片对于CoWoS封装的需求同样十分旺盛，而在此之前，CoWoS芯片封装主要集中在台积电的本土工厂，若在日本进行CoWoS扩产，也将有助于缓解AI领域产能不足的状况。

只不过目前这一切尚未有定论，但无论台积电最终选择哪个方案，日本在先进工艺和封装领域都将取得显著的进步。